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Datasheet H5N2509P Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
3 H5N2509P   Silicon N Channel MOS FET

H5N2509P Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg =
Renesas
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datasheet H5N2509P pdf
2 H5N2509P   SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING

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Hitachi Semiconductor
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datasheet H5N2509P pdf
1 H5N2509P   SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING

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Hitachi Semiconductor
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SPS122

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