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KTD2059 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
1 | KTD2059 | Silicon NPN Power Transistors INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
KTD2059
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min) ·Collector Power Dissipation-
: PC= 30W@ TC= 25℃ ·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.0V(Max)@ (IC= 4A, IB= 0.4A) ·Com | ![]() Inchange Semiconductor |
2 | KTD2059 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR | ![]() KEC |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
![]() Micross |
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B8524 | SAW Components |
![]() TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
![]() ROHM |
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