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Datasheet KTD1510 PDF ( Fiche technique )


KTD1510 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant
1KTD1510Silicon NPN Power Transistors


INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor isc Product Specification KTD1510 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max) @IC= 7A ·High DC Current Gain : hFE= 5000(Min) @ IC= 7A, VCE=

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2KTD1510EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR


KEC
KEC





Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
PDF
B8524

SAW Components

TDK
TDK
PDF
BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
PDF

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