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Datasheet KDV350 PDF ( Fiche technique )
KDV350 Fiches techniques |
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| 1 | KDV350 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO) | .gif){kind=small} KEC(Korea Electronics) |
| 2 | KDV350E | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |  KEC |
| 3 | KDV350F | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR UHF, VHF BAND.
FEATURES High Capacitance Ratio : C1V, C4V=2.8 (Min.) Low Series Resistance. : rS=0.5 (max.) Good C-V linearity.
KDV350F
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
CATHODE MARK 21
CE DF
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYM | KEC |
Fiche de données de référence
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
 Micross |
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| B8524 | SAW Components |
 TDK |
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| BA6343 | Stepping motor driver |
 ROHM |
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