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Datasheet KDV273E PDF ( Fiche technique )
KDV273E Fiches techniques |
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| 1 | KDV273E | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR UHF, VHF BAND.
FEATURES High Capacitance Ratio : C1V, C4V =2.0(Typ.) Low Series Resistance : rs=0.39 (Typ.)
KDV273E
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Voltage Junction Temperature
|  KEC |
| 2 | KDV273E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND) | .gif){kind=small} KEC(Korea Electronics) |
Fiche de données de référence
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
 Micross |
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| B8524 | SAW Components |
 TDK |
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| BA6343 | Stepping motor driver |
 ROHM |
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