|
|
|
Datasheet KDV251M PDF ( Fiche technique )
KDV251M Fiches techniques |
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| 1 | KDV251M | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR C, P, CB PLL
FEATURES Low Series Resistance : 0.6 (Max.) High Capacitance Ratio : 1.7(Min.) 2.2(Max.)
KDV251M, S
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Voltage Junction Temperature
VR |  KEC |
| 2 | KDV251M | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR CB/C/P PLL) | .gif){kind=small} KEC(Korea Electronics) |
Fiche de données de référence
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
 Micross |
|
| B8524 | SAW Components |
 TDK |
|
| BA6343 | Stepping motor driver |
 ROHM |
|
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
| DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Link | English |