|
|
|
Datasheet KDV245 PDF ( Fiche technique )
KDV245 Fiches techniques |
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| 1 | KDV245 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF BAND RADIO) SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR UHF Band Radio.
KDV245
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
CATHODE MARK
B 1
G
FEATURES
High Capacitance Ratio : C0.5V, C2.5V =2.5(Typ.) Low Series Resistance : rs=0.35 Useful for Small Size Tuner. (Typ.)
K
A
H
E
2 D
J C I
MAXIMUM | .gif){kind=small} KEC(Korea Electronics) |
| 2 | KDV245E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF BAND RADIO) | KEC(Korea Electronics) |
Fiche de données de référence
| Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
| ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
 Micross |
|
| B8524 | SAW Components |
 TDK |
|
| BA6343 | Stepping motor driver |
 ROHM |
|
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
| DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Link | English |