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Número de pieza | NTE121 | |
Descripción | Germanium PNP Transistor Audio Frequency Power Amplifier | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
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Germanium PNP Transistor
Audio Frequency Power Amplifier
Description:
The NTE121 is a Germanium PNP Alloy Junction transistor in a TO3 type package designed as an
audio frequency power output amplifier.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage (RBE = 68Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Power Dissipation (TC ≤ +55°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +100°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +100°C
Note 1. Matched pairs are available upon request (NTE121MP). Matched pairs have their gain
specification (hFE) matched to within 10% of each other.
w Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
w Parameter
Symbol
Test Conditions
wCollector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CER IC(peak) = –0.6A, RBE = 68Ω
.DCollector Cutoff Current
ICBO VCB = 30V, IE = 0
DC Current Gain
atBase–Emitter Input Voltage
hFE VCE = 2V, IC = 20mA
VBE VCE = 2V, IC = 1A
aSCollector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 1A
heet4U.comTransition Frequency
fT VCB = 2V, IE = 1A
Min Typ Max Unit
45 – – V
– – 0.5 mA
50 90 165
– 0.38 –
V
– 0.3 –
V
– 300 – kHz
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE12 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
NTE120 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
NTE1200 | Integrated Circuit Color TV Chroma Processor | NTE |
NTE1205M | Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters | C&D Technologies |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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