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F0118J Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröß | OSRAM |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode |
OSRAM |
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F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode |
OSRAM |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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