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Datasheet CGHV35150 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | CGHV35150 | GaN HEMT CGHV35150
150 W, 2900 - 3500 MHz, 50V, GaN HEMT for S-Band Radar Systems
Cree’s CGHV35150 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGHV35150 ideal for 2.9 - 3.5 GHz S-B |
 Cree |
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CGHV35 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| CGHV35150 | GaN HEMT |
Cree |
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| CGHV35060MP | GaN HEMT |
Cree |
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| CGHV35400F | GaN HEMT |
Cree |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del CGHV35150. Si pulsa el resultado de búsqueda de CGHV35150 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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