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3DD56 ورقة البيانات

عدد رقم القطعة شرح مفصل المصنعين PDF
5 3DD5606   CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR

R 低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5606 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION 3DD5606 主要参数 BVCBO IC PC MAIN CHARACTERISTICS 1600V 6A 60W 封装 Package TO-220 用途 z z z z z 节能灯 电子镇
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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4 3DD5603   HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD5603(I/U/M/Z) 主要参数 IC VCEO VCBO PC(TO-126) PC(TO-220) MAIN CHARACTERISTICS 1.5A 800V 1500V 20W 40W 封装 Package 用途 z z z z 充电器 高
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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3 3DD5602   HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD5602(I/U/M) 主要参数 IC VCEO VCBO PC(TO-251/252) PC(TO-126) MAIN CHARACTERISTICS 1.0A 800V 1500V 10W 20W 封装 Package 用途 z z z z 充电器
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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2 3DD5601   HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD5601(I/U/M) 主要参数 IC VCEO VCBO PC(TO-251/252) PC(TO-126) MAIN CHARACTERISTICS 1.0A 700V 1400V 10W 20W 封装 Package 用途 z z z z 充电器
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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1 3DD56   NPN silicon low-frequency high-power transistors

3DD56/3DD57 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 ABCDE F PCM TC=75℃ 10 W ICM 极 限 Tjm 值 Tstg Rth VCE=10V IC=0.2A 3 175 -55~150 10 A ℃ ℃ ℃/W V(BR)CBO ICB=3mA ≥30 ≥50 ≥80
ETC
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رقم القطعة شرح مفصل المصنعين PDF
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Micross
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ROHM
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