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PDF ACE1512E Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | ACE1512E | |
| Descripción | N-Channel MOSFET | |
| Fabricantes | ACE Technology | |
| Logotipo |  |
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ACE1512E
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection
Description
The ACE1512E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They
offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 8V.
It is ESD protected.
Features
• VDS (V)=20V
• ID=6.5A (VGS=4.5V)
• RDS(ON)<21mΩ (VGS=4.5V)
• RDS(ON)<25mΩ (VGS=2.5V)
• RDS(ON)<33mΩ (VGS=1.8V)
• ESD Protected : 2000V
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Continuous)*AC TA=25℃
TA=70℃
Drain Current (Pulsed)*B
Power Dissipation
TA=25℃
TA=70℃
Operating temperature / storage temperature
Symbol Ratings Unit
VDSS 20 V
VGSS ±8 V
6.5
ID
A
5.2
IDM 24 A
1
PD
W
0.64
TJ/TSTG -55~150 ℃
Packaging Type
TSOT-23-3
VER 1.1 1
1 page  
ACE1512E
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection
Packing Information
TSOT-23-3
SYMBOLS
A
A1
A2
B
C
D
E
E1
e
e1
L
L1
L2
R
Θ
Θ1
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
NOM
MAX
0.935 0.95 1.10
0.01 0.10
0.85 0.90 0.925
0.30 0.40 0.50
0.10 0.15 0.25
2.70 2.90 3.10
2.60 2.80 3.00
1.40 1.60 1.80
0.95BSC
1.90BSC
0.30 0.40 0.60
0.60REF
0.25BSC
0.10
0° 4° 8°
7°NOM
VER 1.1 5
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| ACE1512E | N-Channel MOSFET | ACE Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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