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Numéro de référence | 3DG101 | ||
Description | Silicon NPN high frequency low power transistor | ||
Fabricant | ETC | ||
Logo | |||
3DG101 型 NPN 硅高频小功率晶体管
参数符号
测试条件
PCM
极
限 ICM
值 Tjm
Tstg
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
直 ICBO
流 ICEO
参 IEBO
数 VBEsat
VCEsat
hFE
交
流 fT
参
数
ICB=0.1mA
ICE=0.1mA
IEB=0.1mA
VCB=10V
VCE=10V
VEB=1.5V
IC=10mA
IB=1mA
VCE=10V
IC=0.5mA
VCE=10V
IC=3mA
fo=100MH
z
A
≥20
≥15
规范值
BC
100
20
175
-55~150
≥30 ≥40
≥20 ≥30
≥4.0
≤0.03
≤0.05
≤0.01
≤1.0
≤0.35
30~270
≥150
单位
D
mW
mA
℃
℃
≥50 V
≥40 V
V
μA
μA
μA
V
MHz
外
引
线 1. E 发射极
说
明 2. B 基 极
SMD-0.1
A3-01B(B1)
3. C 集电极
替代型号:3DG102、3DG6、3DG51、3DG026、3DG027、3DG031-033、3DG497、3DG13、
3DG36、2SC29、2SC234、2SC235、2SC236、2SC250、3SC381
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Télécharger | [ 3DG101 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
3DG100 | NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor | Shaanxi Qunli |
3DG1008 | SILICON NPN TRANSISTOR | LZG |
3DG101 | Silicon NPN high frequency low power transistor | ETC |
3DG101 | NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor | Qunli Electric |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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