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PDF NTE2949 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2949 | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2949
MOSFET
N−Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
TO−220 Full Pack Type Package
D
Features:
D Ultra Low Gate Charge
D Periodic Avalanche Rated
D Extreme dv/dt Rated
D High Peak Current Capability
D Improved Transconductance
G
S
Absolute Maximum Ratings:
Continuous
TTCC
=
=
Drain Current,
+25C . . . . . . .
+100C . . . . . .
I.D.
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20.7A
13.1A
Pulsed Drain Current (tp limited by TJmax), IDpuls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.1A
Single Pulse Avalanche Energy (ID = 10A, VDD = 50V), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 690mJ
Repetitive Avalanche Energy (tAR limited by TJmax, ID = 10A, VDD = 50V, Not 2), EAR . . . . . . . 1mJ
Repetitive Avalanche Current (tAR limited by TJmax), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Gate−Source Voltage,
Static . . . . . . . .
.V.G. S.
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20V
AC (f > 1Hz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Total Power Dissipation (TC = +25C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34.5W
Reverse Diode dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V/ns
Drain−Source Voltage Slope (VDS = 480V, ID = 20.7A, TJ = +125C), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . 50V/ns
Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C
Lead Temperature (wavesoldering, .063” 1[.6mm] from case, 10sec), Tsold . . . . . . . . . . . . . . +260C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6K/W
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80K/W
Note 1. Limited only by maximum temperature.
Note 2. Repetitive avalanche causes additional power losses that can be calculated as PAV = EAR + f.
Note 3. IhSigDh−sIDid,edis/dwtitch4.00A/s, VDClink = 400V, Vpeak < V(BR)DSS, TJ < TJmax, identical low−side and
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE2941 | MOSFET N-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2942 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2943 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2944 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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