|
|
Numéro de référence | KT8225A | ||
Description | NPN Transistor | ||
Fabricant | Integral | ||
Logo | |||
КТ8225А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)
с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и ограничительным (в цепи коллектор-
база) диодами. Предназначены для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в
узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• BU941ZP фирмы STMicroelectronics
Особенности
• интегральный демпфирующий диод
• интегральный ограничительный диод
• диапазон рабочих температур от - 45 до + 125°C
• климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150
Обозначение технических условий
• АДБК.432140.818 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) – КТ8225А
• бескорпусной вариант в виде кристаллов – КТ8225А-5
Назначение выводов
Вывод
№1
№2
№3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1)
1
|
|||
Pages | Pages 4 | ||
Télécharger | [ KT8225A ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
KT8225A | NPN Transistor | Integral |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |