DataSheetWiki


KT8225A fiches techniques PDF

Integral - NPN Transistor

Numéro de référence KT8225A
Description NPN Transistor
Fabricant Integral 
Logo Integral 





1 Page

No Preview Available !





KT8225A fiche technique
КТ8225А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)
с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и ограничительным (в цепи коллектор-
база) диодами. Предназначены для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в
узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
BU941ZP фирмы STMicroelectronics
Особенности
интегральный демпфирующий диод
интегральный ограничительный диод
диапазон рабочих температур от - 45 до + 125°C
климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150
Обозначение технических условий
АДБК.432140.818 ТУ
Корпусное исполнение
пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) – КТ8225А
бескорпусной вариант в виде кристаллов КТ8225А-5
Назначение выводов
Вывод
1
2
3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1)
1

PagesPages 4
Télécharger [ KT8225A ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
KT8225A NPN Transistor Integral
Integral

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche