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Número de pieza | pdmb150e6 | |
Descripción | IGBT | |
Fabricantes | Nihon Inter Electronics | |
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□ 回 路 図 : CIRCUIT
150 A,600V
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
QS043-402-20398(2/5)
PDMB150E6
PDMB150E6C
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
123
2-Ø6.5
7
6
5
4
3-M5
23.0
23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
94
80 ± 0.25
12 11 12 11 12
12 3
2-Ø 5.5
7
6
3-M5
5
4
23 23 17
16 7 16 7 16
4-fasten tab
#110 t= 0.5
PDMB150E6
PDMB150E6C
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
DC
1ms
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
PC
Rated Value
600
±20
150
300
560
Unit
V
V
A
W
接合温度
Junction Temperature Range
Tj
-40~+150
℃
保存温度
Storage Temperature Range
Tstg
-40~+125
℃
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
VISO
Ftor
PDMB150E6
2,500
3(30.6) PDMB150E6C
2(20.4)
V(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
Symbol Test Condition
ICES
VCE= 600V, VGE= 0V
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
Min.
-
Typ.
-
Max. Unit
1.0
mA
- - 1.0 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC= 150A,VGE= 15V
-
2.1 2.6
V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 150mA
4.0
-
8.0
V
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
Cies
tr
ton
tf
toff
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
VCC= 300V
RL= 2.0Ω
RG= 5.1Ω
VGE= ±15V
- 7,500 - pF
- 0.15 0.30
-
-
0.25 0.40
0.10 0.35
μs
- 0.35 0.70
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
順電流
Forward Current
Item
DC
1ms
Symbol
IF
IFM
Rated Value
150
300
Unit
A
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
VF
trr
IF= 150A,VGE= 0V
IF= 150A,VGE= -10V
di/dt= 300A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c)
Junction to Case
(Tc測定点チップ直下)
日本インター株式会社
Min.
-
Typ.
1.9
Max. Unit
2.4
V
- 0.15 0.25 μs
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.22
0.45
Unit
℃/W
00
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PDF Descargar | [ Datasheet pdmb150e6.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
pdmb150e6 | IGBT | Nihon Inter Electronics |
pdmb150e6c | IGBT | Nihon Inter Electronics |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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