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PDF IPB015N08N5 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPB015N08N5 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOS™5Power-Transistor,80V
IPB015N08N5
DataSheet
Rev.2.1
Final
PowerManagement&Multimarket
1 page  
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
IPB015N08N5
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance 1)
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
80
2.2
-
-
-
-
-
-
123
Values
Typ. Max.
--
3 3.8
0.1 1
10 100
1 100
1.1 1.5
1.5 1.8
1.5 2.3
245 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=279µA
µA
VDS=80V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=80V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ
VGS=10V,ID=100A
VGS=6V,ID=50A
Ω-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=100A
Table5Dynamiccharacteristics1)
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Unit
Typ. Max.
13000 16900 pF
2000 2600 pF
86 150 pF
33 -
ns
32 -
ns
83 -
ns
28 -
ns
Note/TestCondition
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
VDD=40V,VGS=10V,ID=100A,
RG,ext=1.6Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge1)
Switching charge
Gate charge total1)
Gate plateau voltage
Gate charge total, sync. FET
Output charge1)
Qgs
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qg(sync)
Qoss
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
56 -
37 56
58 -
178 222
4.5 -
153 -
207 276
Unit Note/TestCondition
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
V VDD=40V,ID=100A,VGS=0to10V
nC VDS=0.1V,VGS=0to10V
nC VDD=40V,VGS=0V
1) Defined by design. Not subject to production test.
2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition
Final Data Sheet
5
Rev.2.1,2015-10-15
5 Page 
6PackageOutlines
OptiMOSª5Power-Transistor,80V
IPB015N08N5
Figure1OutlinePG-TO263-7,dimensionsinmm/inches
Final Data Sheet
11
Rev.2.1,2015-10-15
11 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPB015N08N5 | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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