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PDF IPA041N04NG Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPA041N04NG | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSª3Power-Transistor,40V
IPA041N04NG
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket
1 page  
OptiMOSª3Power-Transistor,40V
IPA041N04NG
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance 1)
Gate resistance
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
40
2
-
-
-
-
-
48
Values
Typ. Max.
--
-4
0.1 1
10 100
10 100
3.5 4.1
1.6 2.4
96 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=45µA
µA
VDS=40V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=40V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ VGS=10V,ID=70A
Ω-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=70A
Table5Dynamiccharacteristics
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
3400 4500
980 1300
36 72
16 -
3.8 -
23 -
4.8 -
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=20V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=20V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=20V,f=1MHz
ns
VDD=20V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=20V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=20V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=20V,VGS=10V,ID=30A,
RG,ext=1.6Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate charge at threshold
Gate to drain charge
Switching charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Gate charge total, sync. FET
Output charge
Qgs
Qg(th)
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qg(sync)
Qoss
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
18 -
10.3 -
5.3 -
12.5 -
42 56
5.1 -
40 -
41 -
Unit Note/TestCondition
nC VDD=20V,ID=30A,VGS=0to10V
nC VDD=20V,ID=30A,VGS=0to10V
nC VDD=20V,ID=30A,VGS=0to10V
nC VDD=20V,ID=30A,VGS=0to10V
nC VDD=20V,ID=30A,VGS=0to10V
V VDD=20V,ID=30A,VGS=0to10V
nC VDS=0.1V,VGS=0to10V
nC VDD=20V,VGS=0V
1) Measured from drain tab to source pin
2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition
Final Data Sheet
5
Rev.2.0,2014-03-12
5 Page 
6PackageOutlines
OptiMOSª3Power-Transistor,40V
IPA041N04NG
Figure1OutlinePG-TO220-FP,dimensionsinmm/inches
Final Data Sheet
11
Rev.2.0,2014-03-12
11 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPA041N04NG | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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