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Numéro de référence | GFP8N60 | ||
Description | N-channel power FET | ||
Fabricant | Haiso | ||
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东莞市华索电子有限公司
http://www.chinahaiso.com
场效应晶体管
GFP 8N60
GFP 8N60
概述
GFP 8N60 是增强型 N 沟道功率场效应管,采用平面条形
DMOS 工艺生产制造。
GFP8N60 具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击
穿能力,适合用于高效开关电源, 电子镇流器等。
极限参数,除非另有规定,T=25℃
参数
漏源反向击穿电压
连续漏极电流
栅极电压
雪崩能量
耗散功率
储存温度
热阻(结到壳)
正向压降
符号
BVDSS
ID
VGS
EAS
PD
TSTG
RθJC
VSD
额定值
600
7.5
±30
230
147
-55 --150
0.85
1.4
单位
V
A
V
mJ
W
℃
℃/W
V
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Pages | Pages 2 | ||
Télécharger | [ GFP8N60 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
GFP8N60 | N-Channel enhancement mode power field effect Transistors | ETC |
GFP8N60 | N-channel power FET | Haiso |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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