|
|
PDF IN93AA56BN Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IN93AA56BN | |
| Descripción | EEPROM Integrated circuit | |
| Fabricantes | Integral | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de IN93AA56BN (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 13 Páginas | ||
|
No Preview Available !
IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
Микросхема IN93AA56AN/AD,
IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
(аналог САТ93С56 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ
с информационной емкостью 2К (256х8 и/или 128х16 ) с
3-х проводным интерфейсом. Для микросхем
IN93AA56СN, IN93AA56СD при подключении вывода
ORG к общему выводу выбирается организация 256х8 бит,
если вывод ORG подключен к Ucc или остается свобод-
ным, то выбирается организация 128х16 бит. Для микро-
схем типономиналов А и В вывод ORG не подключается.
При этом микросхема IN93AA56AN, IN93AA56AD имеет
организацию 256х8, а микросхема IN93AA56ВN,
IN93AA56ВD – организацию 128х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания и
длительного энергонезависимого неразрушаемого хране-
ния информации в системах с 3-х проводным интерфей-
сом. Используется в телевизионных приемниках, в технике
связи, контрольно-измерительной аппаратуре, изделиях
бытовой электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 - Микросхемы в DIP и
SO-корпусах
Отличительные особенности:
• неразрушаемое хранение 2 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
• один источник питания (UСС = 1,8 B – 6,0 В);
• встроенный в кристалл умножитель напряжения;
• возможность образования общей шины ввода/вывода;
• автоматическое приращение адреса слова;
• внутренний таймер для записи;
• 1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
• установка внутренней логики по включению питания;
• неограниченное количество циклов считывания;
• низкая потребляемая мощность;
• температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
CS 01
SK 02
DI 03
DO 04
08 Vcc
07 NC
06 NC (ORG)
05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93AA56AN/AD,
IN93AA56BN/BD, (IN93AA56CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
1
1 page  
IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхем при Та от минус 45 до 85 °С
Наименование параметра, единица из-
мерения
Буквен-
ное обо-
значение
Выходное напряжение
низкого уровня, В
UOL1
Выходное напряжение
высокого уровня, В
UOH1
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
Ток утечки низкого уровня на входе,
мкА
Ток утечки высокого уровня на входе,
мкА
Ток утечки низкого уровня на выходе,
мкА
UOL2
UOH2
IILL
IILH
IOLL
Ток утечки высокого уровня на выхо-
де, мкА
IOLH
Ток потребления (8-разрядный режим),
мкА
Ток потребления (16-разрядный ре-
жим), нА
ICC1
ICC2
Динамический ток потребления в ре-
жиме считывания, мкА
Динамический ток потребления в ре-
жиме стирания / записи, мА
Время установления выхода в состоя-
ние низкого уровня по сигналу SK, нс
IOCC R
IOCC E/W
tPD0
Время установления выхода в состоя- tPD1
ние высокого уровня по сигналу SK, нс
Режим измерения
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В
IOL = 2,1 мА
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В
IOH = -400 мкА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOL = 1,0 мА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOH = -100 мкА
0 ≤ UI ≤ Ucc
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
0 ≤ UI ≤ Ucc
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
0 В ≤ UO ≤ Ucc
UIL = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
0 В ≤ UO ≤ Ucc
UIL = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
Ucc = 5,5 B
UIL = 0 В
Ucc = 5,5 B
UIL = 0 В
UIH = UCC
Ucc = 5,0 B
fC = 1 МГц
Ucc = 5,0 B
fC = 1 МГц
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
Норма
не менее не более
– 0,4
2,4 –
–
UCC-0,2
–
–
–
0,2
–
-1,0
1,0
-1,0
– 1,0
– 10
– 900
– 500
– 3,0
– 250
– 500
– 1000
– 250
– 500
– 1000
Ред.01/15.06.2008
5
5 Page 
IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
Габаритные размеры корпуса
D
85
E1
14
b2 A
Установочная
C плоскость
A1
e
bL
c
0,25 (0,010) M C
E
α
Примечание - Размеры D, E1 не включают величину облоя, которая не должна превышать
0.25 (0.010) на сторону.
D E1 A b b2 e α
Миллиметры
min 9,02 6,07 ⎯ 0,36 1,14
0°
max 10,16 7,11 5,33 0,56 1,78 2,54 15°
Дюймы
min 0,355 0,240 ⎯ 0,014 0,045
0°
max 0,400 0,280 0,210 0,022 0,070 0,1 15°
L E c A1
2,93 7,62 0,20 0,38
3,81 8,26 0,36 ⎯
0,115 0,300 0,008 0,015
0,150 0,325 0,014 ⎯
Рисунок 11 – Габаритные размеры DIP-корпуса (MS-001BA)
Ред.01/15.06.2008
11
11 Page | ||
| Páginas | Total 13 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet IN93AA56BN.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IN93AA56BD | EEPROM Integrated circuit | Integral |
| IN93AA56BN | EEPROM Integrated circuit | Integral |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |