|
|
Numéro de référence | KD227ZHM | ||
Description | KD227xx | ||
Fabricant | Saransk | ||
Logo | |||
КД227ГС, КД227ГС1, КД227ГС2, КД227Г, КД227ГМ, КД227Г1,
КД227Г1М, КД227ЕС, КД227ЕС1, КД227ЕС2, КД227Е, КД227ЕМ,
КД227Е1, КД227Е1М, КД227ЖС, КД227ЖС1, КД227ЖС2, КД227Ж,
КД227ЖМ, КД227Ж1, КД227Ж1М
ТИП
Uобр.и.max,
B
Iобр.ср.
(не
более),
мA
Iпр.max,
Iпр.ср.max,
A
Iобр.и.прг.max
(τn=100мкс),
A
Uпр.ср.,
(не
более),
B
Iпр.и.max
(f=50Гц,
τn=50мс),
A
Iпр.и.max
(f=50Гц,τn
≤10мс), A
∆f,
Гц
Tокр.среды,
°C КОРПУС
MIN MAX
КД227ГС 400 0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ГС1 400
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ГС2 400
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Г
400 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ГМ
400
0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Г1 400 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Г1М 400 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕС 600 0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕС1 600
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕС2 600
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Е
600 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕМ
600
0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Е1 600 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Е1М 600 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖС
800
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖС1 800
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖС2 800
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Ж
800 0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖМ 800 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Ж1
800
0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Ж1М 800 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
|
|||
Pages | Pages 1 | ||
Télécharger | [ KD227ZHM ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
KD227ZH | KD227xx | Saransk |
KD227ZH1 | KD227xx | Saransk |
KD227ZH1M | KD227xx | Saransk |
KD227ZHM | KD227xx | Saransk |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |