DataSheetWiki


KD227ZHM fiches techniques PDF

Saransk - KD227xx

Numéro de référence KD227ZHM
Description KD227xx
Fabricant Saransk 
Logo Saransk 





1 Page

No Preview Available !





KD227ZHM fiche technique
КД227ГС, КД227ГС1, КД227ГС2, КД227Г, КД227ГМ, КД227Г1,
КД227Г1М, КД227ЕС, КД227ЕС1, КД227ЕС2, КД227Е, КД227ЕМ,
КД227Е1, КД227Е1М, КД227ЖС, КД227ЖС1, КД227ЖС2, КД227Ж,
КД227ЖМ, КД227Ж1, КД227Ж1М
ТИП
Uобр.и.max,
B
Iобр.ср.
(не
более),
мA
Iпр.max,
Iпр.ср.max,
A
Iобр.и.прг.max
(τn=100мкс),
A
Uпр.ср.,
(не
более),
B
Iпр.и.max
(f=50Гц,
τn=50мс),
A
Iпр.и.max
(f=50Гц,τn
10мс), A
f,
Гц
Tокр.среды,
°C КОРПУС
MIN MAX
КД227ГС 400 0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ГС1 400
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ГС2 400
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Г
400 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ГМ
400
0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Г1 400 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Г1М 400 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕС 600 0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕС1 600
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕС2 600
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Е
600 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЕМ
600
0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Е1 600 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Е1М 600 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖС
800
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖС1 800
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖС2 800
0.8
5
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Ж
800 0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227ЖМ 800 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Ж1
800
0.8
10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z
КД227Ж1М 800 0.8 10
- 0.9
15 1000 -40 85
Z

PagesPages 1
Télécharger [ KD227ZHM ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
KD227ZH KD227xx Saransk
Saransk
KD227ZH1 KD227xx Saransk
Saransk
KD227ZH1M KD227xx Saransk
Saransk
KD227ZHM KD227xx Saransk
Saransk

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche