|
|
Numéro de référence | KD521B | ||
Description | Silicon epitaxial planar type diodes | ||
Fabricant | Saransk | ||
Logo | |||
ФГУП "Саранский завод точных приборов"
430003, Россия, Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Рабочая, 111
т./ф.(8-8342) 24-24-90, 24-43-86
E-mail: [email protected], [email protected]
КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды типа КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б в
стеклянном корпусе типа КД-2, предназначены для работы в аппаратуре широкого
применения.
Климатическое исполнение - В, категория размещения - 3
Масса приборов не более 0,15 г.
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
КД510А КД521А КД521В КД522Б
Постоянное прямое напряжение UПР., B, не Iпр.=200мА Iпр.=50мА Iпр.=50мА Iпр.=100мА
более
1.1 1
1 1.1
Постоянный обратный ток IОБР., мкА, не
более
Uобр.=50B Uобр.=75B Uобр.=50B Uобр.=50B
5 11 1
Заряд восстановления QВОСТ., nКл, не
более при UОБР.=10B
Iпр.=50мА Iпр.=10мА Iпр.=10мА Iпр.=50мА
400 200 200 400
Максимально - допустимое обратное
напряжение UОБР. MAX, B
50 75 50 50
Максимально - допустимый постоянный
прямой ток IПР. MAX, мА
200 50 50 100
|
|||
Pages | Pages 1 | ||
Télécharger | [ KD521B ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
KD521A | Silicon epitaxial planar type diodes | Saransk |
KD521A | Diode (spec sheet) | American Microsemiconductor |
KD521B | Silicon epitaxial planar type diodes | Saransk |
KD521G | Diode (spec sheet) | American Microsemiconductor |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |