DataSheetWiki


KD521B fiches techniques PDF

Saransk - Silicon epitaxial planar type diodes

Numéro de référence KD521B
Description Silicon epitaxial planar type diodes
Fabricant Saransk 
Logo Saransk 





1 Page

No Preview Available !





KD521B fiche technique
ФГУП "Саранский завод точных приборов"
430003, Россия, Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Рабочая, 111
т./ф.(8-8342) 24-24-90, 24-43-86
КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды типа КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б в
стеклянном корпусе типа КД-2, предназначены для работы в аппаратуре широкого
применения.
Климатическое исполнение - В, категория размещения - 3
Масса приборов не более 0,15 г.
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
КД510А КД521А КД521В КД522Б
Постоянное прямое напряжение UПР., B, не Iпр.=200мА Iпр.=50мА Iпр.=50мА Iпр.=100мА
более
1.1 1
1 1.1
Постоянный обратный ток IОБР., мкА, не
более
Uобр.=50B Uобр.=75B Uобр.=50B Uобр.=50B
5 11 1
Заряд восстановления QВОСТ., nКл, не
более при UОБР.=10B
Iпр.=50мА Iпр.=10мА Iпр.=10мА Iпр.=50мА
400 200 200 400
Максимально - допустимое обратное
напряжение UОБР. MAX, B
50 75 50 50
Максимально - допустимый постоянный
прямой ток IПР. MAX, мА
200 50 50 100

PagesPages 1
Télécharger [ KD521B ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
KD521A Silicon epitaxial planar type diodes Saransk
Saransk
KD521A Diode (spec sheet) American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
KD521B Silicon epitaxial planar type diodes Saransk
Saransk
KD521G Diode (spec sheet) American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche