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PDF CET6601 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CET6601 | |
| Descripción | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
| Fabricantes | CET | |
| Logotipo |  |
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CET6601
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-60V, -4.3A, RDS(ON) = 86mΩ @VGS = -10V.
RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Lead free product is acquired.
SOT-223 package.
D
DS
D
G
SOT-223
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS -60
VGS ±20
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
ID -4.3
IDM -17.2
Maximum Power Dissipation
PD 3
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
42
Units
V
V
A
A
W
C
Units
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2011.July
http://www.cet-mos.com
1 page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CET6601 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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