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Numéro de référence | 3DD3145A6 | ||
Description | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
Logo | |||
华润华晶分立器件
硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DD3145A6
1 产品概述:
3DD3145A6 是硅 NPN 型高反压大功率晶体管,该产品采用平面工艺,特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关
VCEO
速度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot(TC=25℃)
600
1.3
50
V
A
W
2 产品特点:
● 开关损耗低。
● 反向漏电流小。
● 击穿电压高。
● 合适的开关速度。
● 可靠性高。
3 主要用途:
主要用于开关电源作电压调整。
1
2
3
1.B 2.C 3.E
内部等效原理图
B
C
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
铅
汞
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴苯醚
(Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
(含量要求) ≤0.1% ≤0.1%
≤0.01% ≤0.1%
≤0.1%
≤0.1%
引线框
○
○
○
○
○
○
塑封树脂
○
○
○
○
○
○
管芯
○
○
○
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○
○
内引线
○
○
○
○
○
○
焊料
×
○
○
○
○
○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
说明
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
第 1 页 共 5 页 2009 版
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No | Description détaillée | Fabricant |
3DD3145A6 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | Huajing Microelectronics |
3DD3145A8 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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