|
|
Numéro de référence | 3DD3020A6 | ||
Description | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
Logo | |||
华润华晶分立器件
硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DD3020A6
1 产品概述:
3DD3020A6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高
VCEO
了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot(TC=25℃)
2 产品特点:
TO-126
450
1.5
50
V
A
W
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 反向击穿电压高
● 可靠性高
1
2
3
1. B
2. C
3. E
3 主要用途:
主要用于电子充电器、计算机辅助电源等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
内部等效原理图
C
B
VD
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
(含量要求)
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
铅
(Pb)
汞
(Hg)
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
(Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1%
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
×○○○○
○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
第 1 页 共 5 页 2010 版
|
|||
Pages | Pages 5 | ||
Télécharger | [ 3DD3020A6 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
3DD3020A3 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | Huajing Microelectronics |
3DD3020A6 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |