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Numéro de référence | 2CR202A8S | ||
Description | N-type silicon fast recovery rectifier diode | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
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产品概述
2CR202 A8S 是 N 型
硅外延超快恢复二极管,
采用平面制造工艺及重金
属掺杂工艺,具有低正向
压降、低反向漏电及超快
反向恢复速度等优点。
硅 N 型快恢复整流二极管
2CR202 A8S
○R
产品特点
●超快反向恢复速度
●超低反向漏电
●低正向压降
●高抗浪涌能力
应用
● 开关电源
● 功率电路
● 通用整流
特征参数
符号
VRRM
IF(AV)
VF(IF=10A)
trr(IF=0.5A)
额定值
200
10×2
1
40
单位
V
A
V
ns
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1年
相对湿度 <85%
265℃
内部结构图
极限值 (Per Diode)
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
可重复峰值反向电压
均方根电压
直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3ms,正弦单波)
结温
贮存温度
热 阻 (Per Diode)
参数名称
结到壳的热阻
电参数 (Per Diode)
符号
RθJC
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
VRRM
VRMS
VR
IF(AV)
IFSM
Tj
Tstg
额定值
200
140
200
10
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
℃
℃
最小值
典型值
最大值
3
单位
℃/W
2015V01
1/4
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Pages | Pages 4 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
2CR202A8S | N-type silicon fast recovery rectifier diode | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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