DataSheetWiki


BLV88N30 fiches techniques PDF

BELLING - N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Numéro de référence BLV88N30
Description N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Fabricant BELLING 
Logo BELLING 





1 Page

No Preview Available !





BLV88N30 fiche technique
BLV88N30
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
低导通电阻
低反向传输电容
驱动简单
Preliminary
August . 2009
BVDSS
RDS(ON)
ID
300V
48mΩ
88A
产品介绍
300V 88A 大功率 VDMOS 器件,导通电阻小、驱动简单,适合 PDP 驱动电路使用
最大额定参数( TC=25oC 除非另有说明 )
符号
VDS
VGS
ID
IDR
参数
源漏电压
栅源电压
连续漏极电流
脉冲漏极电流 (注释 1)
体二极管连续漏极电流
体二极管脉冲漏极电流(注释 1)
注释: 1. 脉冲宽度 PW<10us, 占空比 duty cycle<1%
http://www.belling.com.cn
极限值
300
+ 30
88
176
88
176
单位
V
V
A
A
A
A
Page 1/1

PagesPages 3
Télécharger [ BLV88N30 ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
BLV88N30 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BELLING
BELLING

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche