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Numéro de référence | BLV88N30 | ||
Description | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | ||
Fabricant | BELLING | ||
Logo | |||
BLV88N30
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
• 低导通电阻
• 低反向传输电容
• 驱动简单
Preliminary
August . 2009
BVDSS
RDS(ON)
ID
300V
48mΩ
88A
产品介绍
300V 88A 大功率 VDMOS 器件,导通电阻小、驱动简单,适合 PDP 驱动电路使用
最大额定参数( TC=25oC 除非另有说明 )
符号
VDS
VGS
ID
IDR
参数
源漏电压
栅源电压
连续漏极电流
脉冲漏极电流 (注释 1)
体二极管连续漏极电流
体二极管脉冲漏极电流(注释 1)
注释: 1. 脉冲宽度 PW<10us, 占空比 duty cycle<1%
http://www.belling.com.cn
极限值
300
+ 30
88
176
88
176
单位
V
V
A
A
A
A
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Pages | Pages 3 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
BLV88N30 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | BELLING |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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