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PDF IPP410N30N Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPP410N30N | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon Technologies | |
| Logotipo |  |
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MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTMPower-Transistor,300V
IPP410N30N
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket
1 page  
OptiMOSTMPower-Transistor,300V
IPP410N30N
4Electricalcharacteristics
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance1)
Transconductance
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
gfs
Min.
300
2
-
-
-
-
-
52
Values
Typ. Max.
--
34
1 10
10 300
1 100
36 41
2.4 3.6
103 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=270µA
µA
VDS=240V,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=240V,VGS=0V,Tj=125°C
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ VGS=10V,ID=44A
Ω-
S |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=44A
Table5Dynamiccharacteristics
Parameter
Symbol
Input capacitance1)
Output capacitance1)
Reverse transfer capacitance1)
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Crss
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
5400 7180
281 374
6 13
16 -
9-
43 -
9-
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
ns
VDD=100V,VGS=10V,ID=22A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=100V,VGS=10V,ID=22A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=100V,VGS=10V,ID=22A,
RG,ext=1.6Ω
ns
VDD=100V,VGS=10V,ID=22A,
RG,ext=1.6Ω
Table6Gatechargecharacteristics2)
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge
Switching charge
Gate charge total1)
Gate plateau voltage
Output charge
Qgs
Qgd
Qsw
Qg
Vplateau
Qoss
Min.
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
24 -
7-
15 -
65 87
4.4 -
131 -
Unit Note/TestCondition
nC VDD=100V,ID=44A,VGS=0to10V
nC VDD=100V,ID=44A,VGS=0to10V
nC VDD=100V,ID=44A,VGS=0to10V
nC VDD=100V,ID=44A,VGS=0to10V
V VDD=100V,ID=44A,VGS=0to10V
nC VDD=100V,VGS=0V
1) Defined by design. Not subject to production test.
2) See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition
Final Data Sheet
5
Rev.2.0,2014-12-27
5 Page 
6PackageOutlines
OptiMOSTMPower-Transistor,300V
IPP410N30N
Figure1OutlinePG-TO220-3,dimensionsinmm/inches
Final Data Sheet
11
Rev.2.0,2014-12-27
11 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPP410N30N | MOSFET ( Transistor ) | Infineon Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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