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Numéro de référence | FHP75N08 | ||
Description | Low voltage high current power MOS FET | ||
Fabricant | Feihonltd | ||
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产品描述
FHP75N08为低压大电流功率MOS场效应管,
广泛应用于电源逆变器
产品特点
★ 80A,75V,RDS(on)(典型值)8.8mΩ
★ 开关速度快
FHP75N08说明书
极限值(TC=25℃)
参数名称
漏极—源极电压
漏极电流 @TC=25℃
栅源电压
耗散功率 @TC=25℃
结温
储存温度
符号
VDS
ID
VGS
PD
TJ
Tstg
数值
75
80
±25
270
150
-55~150
单位
V
A
V
W
℃
℃
特性参数值(TC=25℃)
参数说明
漏源反向电压
漏源截止电流
栅源截止电流
通态电阻
栅源极开启电压
源漏二极管正向
导通压降
符号
BVDSS
IDSS
IGSS(F/R)
RDS(on)
VGS(th)
VFSD
测试条件
VGS=0V, ID=250µA
VDS =75V, VGS= 0V
VGS = ±25V,VDS= 0V
VGS=10V, ID=40A
VDS = VGS, ID = 250µA
IS=20A,VGS=0V
最小值
75
——
——
——
2.0
典型值
——
——
——
8.8
——
最大值
——
1
±100
11
4.0
单位
V
µA
nA
mΩ
V
— — — — 1.4 V
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Pages | Pages 2 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
FHP75N08 | Low voltage high current power MOS FET | Feihonltd |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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