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FT2000D Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Diotec Semiconductor - Fast Silicon Rectifiers

شماره قطعه FT2000D
شرح مفصل Fast Silicon Rectifiers
تولید کننده Diotec Semiconductor 
آرم Diotec Semiconductor 


1 Page

		

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FT2000D شرح
Fast Silicon Rectifiers
Version 2004-06-24
1/Tab = Cathode 2 = Anode
FT 2000 A … FT 2000 G
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
20 A
50…400 V
TO-220AC
2.2 g
Maximum ratings
Type
Typ
FT 2000 A
FT 2000 B
FT 2000 D
FT 2000 G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
PreliminaryRepetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TC = 100°C
IFAV
20 A
f > 15 Hz
IFRM
80 A 1)
VorläufigTA = 25°C
IFSM
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
680 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj – 50…+150°C
TS – 50…+175°C
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1

قانون اساسیصفحه 2
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