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PDF BL2301 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BL2301 | |
| Descripción | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
| Fabricantes | Galaxy Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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s Production specification
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
BL2301
FEATURES
z RDS(ON)≤110mΩ@VGS=-4.5V.
Pb
z RDS(ON)≤150mΩ@VGS=-2.5V.
Lead-free
z Super high density cell design for extremely low RDS(ON).
APPLICATIONS
z Power Management in Note book.
z Portable Equipment.
z Battery Powered System.
z Load Switch.
z DSC.
ORDERING INFORMATION
SOT-23
Type No.
BL2301
Marking
A1T
Package Code
SOT-23
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
Drain-Source voltage
-20
VGSS
ID
IDM
PD
RθJA
Gate -Source voltage
Maximum Drain current TA=25℃
TA=70℃
Pulsed Drain current
Power Dissipation
TA=25℃
TA=70℃
Thermal resistance,Junction-to-Ambient
±8
-2.0
-1.6
-10
0.7
0.45
175
TJ,Tstg
Operating Junction and StorageTemperature
175
Units
V
V
A
A
W
℃/W
℃
C229
Rev.A
www.gmicroelec.com
1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BL2301 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Galaxy Microelectronics |
| BL2302 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Galaxy Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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