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PDF JCS2N60U Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | JCS2N60U | |
| Descripción | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor | |
| Fabricantes | JILIN SINO-MICROELECTRONICS | |
| Logotipo |  |
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R N 沟道增强型场效应晶体管
JCS2N60 U/I
产品特性
◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V
◆低栅极电荷(典型值 12.5nC)
◆低 Crss(典型值 7.6pF)
◆开关速度快
◆产品全部经过雪崩测试
◆高抗 dv/dt 能力
主要用途
◆高频开关电源
◆电子镇流器
◆UPS 电源
概述
JCS2N60U/I 是 N 沟道增强型场效应晶体管，采用平
面 VDMOS 技术制造。利用该技术可以获得最低的导通电阻，
提高开关特性，提高产品在雪崩击穿和串并模式下承受高
能量脉冲的能力。
绝对最大额定值(除特殊标注外，Tc=25℃)
项目
符号
最高漏极－源极直流电压
VDSS
连续漏极电流
ID T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流（注 1）
IDM(注 1)
最高栅源电压
VGSS
单脉冲雪崩能量（注 2）
EAS（注 2）
雪崩电流（注 1）
IAR（注 1）
重复雪崩能量
EAR（注 1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） dv/dt（注 3）
耗散功率
PD TC=25℃
－高于 25℃递减
最高结温及存储温度
引线最高焊接温度
TJ，TSTG
TL
*漏极电流由最高结温限制
TO-251
TO-252
等效电路图
器件
JCS2N60U
JCS2N60I
封装
TO-252
TO-251
JCS2N60U/ JCS2N60I
600
1.8
1.1
6.0
±30
120
1.8
4.4
5.5
44
0.35
-55～+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本:200810A
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1 page  
JCS2N608,
⠜ᴀ:200810A
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JCS2N608,
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⠜ᴀ:200810A
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor |  ETC |
| JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor | ETC |
| JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor | ETC |
| JCS2N60 | N-CHANNEL MOSFET | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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