|
|
Número de pieza | NTE335 | |
Descripción | Silicon NPN Transistor | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE335 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
No Preview Available ! NTE335 & NTE336
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE335 and NTE336 are silicon NPN RF power transistors designed for power amplifier applications
in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30MHz.
Features:
D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:
Output Power = 80W
Minimum Gain = 12dB
Efficiency
= 50%
D Available in Two Different Package Designs:
NTE335 (W52N, Flange Mount)
NTE336 (T93D, Stud Mount)
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Total
DDeveircaeteDaisbsoipvaeti2o5n°C(TC.
=
..
.+.2.5.°.C.).,.P. D. .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . . 250W
1.43W/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test Conditions Min
Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 100mA, IB = 0
18
−
−V
V(BR)CES IC = 50mA, VBE = 0 36 − − V
Emitter−Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 10mA, IC = 0
4
−
−V
1 page |
Páginas | Total 2 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet NTE335.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE330 | Germanium PNP Transistor High Power Switch | NTE |
NTE3300 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
NTE3301 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
NTE3302 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |