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PDF NTE181 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE181 | |
| Descripción | Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE180 (PNP) & NTE181 (NPN)
Silicon Power Transistor
High Power Audio Amplifier
Description:
The NTE180 (PNP) and NTE181 (NPN) are silicon complementary transistors in a TO3 type case
designed for use as output devices in complementary audio amplifiers to 100 watts music power per
channel.
Features:
D High DC Current Gain: hFE = 25 – 100 @ IC = 7.5A
D Excellent Safe Operating Area
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.5A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.875°C/W
Electrical Characteristics: (TC =+25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CER IC = 200mA, RBE = 100Ω, Note 1 100 – – V
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 200mA, Note 1
90 – – V
Collector–Base Cutoff Current
ICBO VCB = 100V, IE = 0
– – 1.0 mA
VCB = 100V, IE = 0, TC = +150°C – – 5.0 mA
Emitter–Base Cutoff Current
IEBO VBE = 4V, IC = 0
– – 1.0 mA
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs. Duty Cycle ≤ 2%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE18 | Silicon Complementary Transistors High Voltage / High Current Capacity Driver | NTE |
| NTE180 | Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier | NTE |
| NTE1800 | Integrated Circuit TV Multiplex Sound Decoder | NTE |
| NTE1801 | Integrated Circuit TV dbx Noise Reduction System | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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