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Numéro de référence | HIT5609 | ||
Description | NPN Transistor | ||
Fabricant | ETC | ||
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HIT5609 NPN 三极管
△ 主要用途:
主要用于开关、音频放大,适用于应急灯、电动玩具等电子
产品。(与 HIT5610 互补)
△ 极限值(TA=25℃)
参数
符号 标称值
集电极、基极击穿电压 VCBO 25
集电极、发射极击穿电压 VCEO 20
发射极、基极击穿电压 VEBO 5
集电极电流
IC 1.5
集电极功率
PC 2
结温
TJ 150
贮存温
TSTG -55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
脚位排列与快捷三星
相同
TO-92
1. 发射极 E
2. 集电极 C
3. 基 极 B
△ 电参数(Ta=25℃)
参数
集电极漏电流
发射极漏电流
符号
ICBO
IEBO
测试条件
VCB=25V,IE=0
VBE=5V,IC=0
最小值
典型值
最大值
100
100
单位
nA
nA
基极漏电流
ICEO VCE=20V,IB=0
集电极、发射极击穿电压 BVCEO IC=10mA,IB=0
发射极、基极击穿电压 BVEBO IE=1mA,IC=0
集电极、基极击穿电压 BVCBO IC=100μA,IE=0
集电极、发射极饱和压降 VCE(sat) IC=0.8A,IB=0.08A
基极、发射极饱和压降 VBE(on) VCE=2V,IC=0.5A
HFE1 VCE=2V,IC=0.5A
直流电流增益
HFE2 VCE=2V,IC=1mA
HFE3 VCE=2V,IC=10mA
20
6
25
120
105
110
5 µA
V
V
V
0.5 V
1.0 V
240
脉冲方式测试:PW≤300μs;占空比≤2%
实际分如档:
B
120-160
C1
160-200
C2
200-240
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Pages | Pages 22 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
HIT5609 | NPN Transistor | ETC |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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