DataSheetWiki


KT3109A1 fiches techniques PDF

ETC - Transistor

Numéro de référence KT3109A1
Description Transistor
Fabricant ETC 
Logo ETC 





1 Page

No Preview Available !





KT3109A1 fiche technique
AS “АLFA RPAR
Рижский завод полупроводниковых приборов
Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; [email protected]
КТ3109А, Б, В
КТ3109А1, Б1, В1
КТ3109А, 2Т3109Б, 2Т3109В, 2Т3109А1, 2Т3109Б1, 2Т3109В1
Высокочастотные малошумящие биполярные р-п-р транзисторы малой мощности
Типовое значение граничной частоты передачи тока fТ =1400 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 170 мВт
Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax=25 В
Типовое значение коэффициента шума на частоте 800 МГц КШ=7 дБ
Тип изделия
КT3109A, Б, В
КТ3109А1, Б1, В1
Номер ТУ
аА0.336.220ТУ
аА0.336.220 ТУ
Тип корпуса
КТ-29 (ТО-50)
КТ-26 (ТО-92)
Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р высокочастотные усилительные с нормированным
коэффициентом шума на частоте 800 МГц транзисторы КT3109 предназначены для применения в
видеоусилителях, малошумящих усилителях и различной приемо – усилительной аппаратуре.
Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.336.220 ТУ: цифро-
буквенная маркировка с указанием типономинала без индекса «КТ» - на корпус наносится последняя
цифра обозначения транзистора и группа (например: КТ3109А1 - 9А1), год и месяц изготовления
транзисторов или допускается маркировка цветовым кодом (точкой): КТ3109А, А1 – розовая точка,
КТ3109Б, Б1 – желтая точка, КТ3109В, В1 – синяя точка. Допускается группу КТ3109А, А1 не
маркировать. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.
Схема расположения выводов
КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В
КТ3109А1, КТ3109Б1, КТ3109В1
КТ-29
КТ-29
КТ-26
1-Эмиттер
2-База
3-Коллектор
Основные электрические параметры при температуре: 0°C ÷ + 70°С
Наименование параметра,
единица измерения
Обратный ток коллектора
(UКБ=20В), мкА
Буквен- КТ3109А,
ное КТ3109А1
обозна- не
не
чение менее более
IКБО 0,1
Обратный ток эмиттера
(UЭБ = 2 В), мкА
Статический коэффициент
передачи тока (UКБ=10 В,IЭ=10мА)
IЭБО
h21Э
20
10
Постоянная времени цепи обрат-
ной связи на высокой частоте
(UКБ=10 В, IЭ=10мА, f=100МГц), пс
Граничная частота коэффициента
передачи тока
(UКБ=10 В, IЭ=10 мА, f=100-300МГц)
τK
fГР
1100
6
Коэффициент шума
(RUГК=Б=7510OмВ,),IЭд=Б10 мА, f =800 МГц,
КШ
6
Коэффициент усиления по
мощности (UКБ= 10 В, IЭ= 10 мА,
f =800 МГц, RН= 2 кOм), дБ
КУР 15
Коэффициент обратного усиления
по мощности (UКБ= 10 В, IЭ= 10 мА,
f =800 МГц), дБ
КУР обр.
-7
Емкость коллекторного перехода
(UКБ=10 В, f=5-30МГц), пФ
СК
1
КТ3109Б,
КТ3109Б1
не не
менее более
0,1
10
20
10
1100
7
13
-3
1
КТ3109В,
КТ3109В1
не не
менее более
0,1
10
15
10
1100
8
13
1
1
2014 v1
1

PagesPages 3
Télécharger [ KT3109A1 ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
KT3109A Transistor ETC
ETC
KT3109A1 Transistor ETC
ETC

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche