|
|
Numéro de référence | KT8115 | ||
Description | PNP Transistor | ||
Fabricant | INTEGRAL | ||
Logo | |||
КТ8115
p-n-p составной
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототипы – TIP127, TIP126, TIP125
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C
• Комплиментарная пара – КТ8116
Обозначение технических условий
• АДБК.432140.289 ТУ / 02
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод
№1
№2
№3
Назначение
База
Коллектор
Эмиттер
КТ8115 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
|
|||
Pages | Pages 3 | ||
Télécharger | [ KT8115 ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
KT8115 | PNP Transistor | INTEGRAL |
KT8115A | PNP Transistor | ETC |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |