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W2XN9500 fiches techniques PDF

XINSUN - Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors

Numéro de référence W2XN9500
Description Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors
Fabricant XINSUN 
Logo XINSUN 





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W2XN9500 fiche technique
江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN9500
低频放大管壳额定双极型晶体管
文件编号
版本号
页码
XS-J-057
13-A2-03
1/3
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
用 W2XN9500 封装的成品管,主要用于计算机电源、电子镇流器等功率开关电路中。
1.2 主要特点
z 开关损耗低,可靠性高
z 高温特性好
z 反向漏电小
2 芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸(mm×mm)
5.00×5.00
芯片厚度(µm)
划片道*尺寸(µm)
250±20
60
键合区面积 基 区
(µm2)
发射区
780×1500
826×1300
钝化层
PIA
正面电极
金属
厚度(µm)
5±1.0
背面电极 表层金属
硅片直径(㎜)
φ125
装片要求(推荐)
焊料
键合要求(推荐) 铝丝;E 区φ380μm、B 区φ300μm 各一根
* 划片道位置示意图:
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25℃
参数名称
符号
额定值
集电极-基极电压
集电极-发射极电压
VCB0 700
VCE0 400
发射极-基极电压
VEB0 9
集电极电流
耗散功率(Tamb=25℃)
IC 12
Ptot 3
结温
Tj 150
贮存温度
Tstg -55-150
单位
V
V
V
A
W
备注
推荐封装形式:TO-3P
推荐成品型号:3DD13009
江阴新顺微电子有限公司
地 址:江苏省江阴市滨江中路 275
网址:http://www.xinshun.cn
电 话:(051086851182 86852109
传真:(051086851532

PagesPages 3
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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
W2XN9500 Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors XINSUN
XINSUN

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


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