|
|
Numéro de référence | FQD1N60C | ||
Description | N-Channel MOSFET | ||
Fabricant | HAOHAI | ||
Logo | |||
1 Page
1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
工业型号
公司型号 通俗命名
H
FQU1N60C
FQD1N60C
H1N60U
H1N60D
1N60
HAOHAI
封装标识
U: TO-251
D: TO-252
1N60 Series
N-Channel MOSFET
包装方式
每管数量
每盒数量
条管装
载带卷盘
80只/管
2.5K/卷
4Kpcs/盒
5Kpcs/盒
每箱数量
24Kpcs
25Kpcs
■APPLICATION
ELECTRONIC BALLAST
ELECTRONIC TRANSFORMER
SWITCH MODE POWER SUPPLY
ID=1.3A
VDS=600V
RDS(on)=13Ω
■FEATURES
LOW ON-RESISTANCE
FAST SWITCHING
HIGH INPUT RESISTANCE
RoHS COMPLIANT
Package: TO-251 and TO-252(IPAK & DPAK)
■特点
导通电阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
■应用范围
开关电源、LCD电源、LED驱动电源、机箱电源、UPS电源
各种充电器、电子整流器、电子变压器、逆变器、控制器
转换器、风扇控制板、
以及电源适配器、汽车稳压器等线性放大和功率开关电路
■封装形式
TO-251(IPAK)、TO-252(DPAK)
1N60 Series Pin Assignment
3-Lead Plastic TO-251
Package Code: U
Pin 1: Gate
Pin 2: Drain
Pin 3: Source
3-Lead Plastic TO-252
Package Code: D
Pin 1: Gate
Pin 2: Drain
Pin 3: Source
2D
Series Symbol: 1 G
3S
■ 最大额定 Absolute Maximum Ratings(TC=25℃)
参数
PARAMETER
漏-源电压 Drain-source Voltage
栅-源电压 gate-source Voltage
漏极电流 Continuous Drain Current8
TC=25℃
TC=100℃
最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ①
耗散功率 Power Dissipation (TL=25°C)
最高结温 Junction Temperature
存储温度 Storage Temperature
单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ②
* 漏极电流由最高结温限制 (*Drain current limited by maximum junction temperature)
符号
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
Tj
TSTG
EAS
额定值
VALUE
600
±30
1.0 *
0.6 *
4.0 *
28
150
-55~+150
14
单位
UNIT
V
A
W
℃
mJ
http://www.szhhe.com
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
第1页 共6页
致力於中國功率器件優秀供應商
1N60C-UD-E2C
|
|||
Pages | Pages 6 | ||
Télécharger | [ FQD1N60C ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
FQD1N60 | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
FQD1N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
FQD1N60C | 600V N-Channel MOSFET | Kersemi Electronic |
FQD1N60C | N-Channel MOSFET | HAOHAI |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |