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Numéro de référence | KP4000A | ||
Description | thyristor | ||
Fabricant | ETC | ||
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特点:
n 中心放大门极结构
n 平板型陶瓷管壳封装
n 低通态和开关损耗
典型应用:
n 大功率变流器
n 交直流开关
n 有源和无源逆变
符号
参数
IT(AV)
通态平均电流
IT(AV)
通态平均电流
VDRM
VRRM
IDRM
IRRM
ITSM
I2t
VTO
rT
VTM
dv/dt
断态重复峰值电压
反向重复峰值电压
断态重复峰值电流
反向重复峰值电流
通态不重复浪涌电流
浪涌电流平方时间积
门槛电压
斜率电阻
通态峰值电压
断态电压临界上升率
di/dt 通态电流临界上升率
Irm
trr
Qrr
IGT
VGT
IH
VGD
Rth(j-h)
Fm
Tstg
Wt
Outline
反向恢复电流
反向恢复时间
恢复电荷
门极触发电流
门极触发电压
维持电流
门极不触发电压
热阻抗(结至散热器)
安装力
贮存温度
质量
KP4000A
普通晶闸管
IT(AV)
VDRM/VRRM
ITSM
I2t
4000 A
1900-3000V
45 KA
10125 103A2S
测试条件
180°正弦半波, 50Hz
双面散热, Ths=68°C
180°正弦半波, 50Hz
双面散热, Ths=55°C
VDRM&VRRM tp=10ms
VDSM&VRSM= VDRM&VRRM+100V
VDM= VDRM
VRM= VRRM
10ms 底宽, 正弦半波,
VR=0.6VRRM
ITM=5000A, F=106KN
VDM=0.67VDRM
VDM= 67%VDRM to 2000A,
门极脉冲 tr ≤0.5μs IGM=1.5A
重复值
ITM=1500A,tp=1000µs,
di/dt=-20A/µs,
Vr=50V
VA=12V, IA=1A
VDM=67%VDRM
180° 正弦波, 双面散热
压紧力 106KN
KT100 cT /KT100dT
结温
参数值
Tj(°C) 最小 典型 最大
单位
125
4000
A
125
4755
A
125 1900
3000
V
125 200 mA
45 KA
125 10125 A2s*103
0.91 V
125 0.09 mΩ
25 2.30 V
125 500 V/μs
125 250 A/μs
125
40
25 0.9
20
250
26
3250
450
3.5
1000
A
µs
µC
mA
V
mA
125 0.3
V
0.0075 °C /W
98
-40
1100
113
140
KN
°C
g
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No | Description détaillée | Fabricant |
KP4000A | Phase Control Thyristor | HUAJING |
KP4000A | HIGH POWER THYRISTOR | PST |
KP4000A | thyristor | ETC |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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