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2SA1964 fiches techniques PDF

INCHANGE - Silicon PNP Power Transistor

Numéro de référence 2SA1964
Description Silicon PNP Power Transistor
Fabricant INCHANGE 
Logo INCHANGE 





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2SA1964 fiche technique
INCHANGE Semiconductor 
isc Silicon PNP Power Transistor 
Product Specification 
2SA1964 
DESCRIPTION 
·Collector­Emitter Breakdown Voltage­ 
: V(BR)CEO= ­160V(Min) 
·Good Linearity of hFE 
·Wide Area of Safe Operation 
·Complement to Type 2SC5248 
APPLICATIONS 
·Power amplifier applications. 
·Driver stage amplifier applications. 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
SYMBOL 
PARAMETER 
VALUE  UNIT 
VCBO  Collector­Base Voltage 
­160 
VCEO  Collector­Emitter Voltage 
­160 
VEBO  Emitter­Base Voltage 
­5  V 
ICollector Current­Continuous 
Collector Power Dissipation 
@Ta=25 
P
Collector Power Dissipation 
@TC=25 
TJunction Temperature 
Tstg  Storage Temperature 
­1.5 
20 
150   
­55~150 
isc websitewww.iscsemi.cn 

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