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PDF GT50N321 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GT50N321 | |
| Descripción | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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GT50N321
東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N321
○ 電圧共振インバータスイッチング用
○ 第 4 世代
単位: mm
• 高速 FRD を内蔵しています。
• 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
• スイッチング時間が速い。 IGBT : tf = 0.25 μs (標準) (IC = 60 A)
FRD : trr = 0.8 μs (標準) (di/dt = −20 A/μs)
• 飽和電圧が低い。
VCE (sat) = 2.5 V (標準) (IC = 60 A)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
定格
単位
コレクタ･エミッタ間電圧
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
DC
1 ms
エミッタ･コレクタ順
電流
DC
1 ms
コ レ ク タ 損 失 (Tc = 25°C)
接合温度
保存温度
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFP
PC
Tj
Tstg
1000
±25
50
120
15
120
156
150
−55~150
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
―
JEITA
―
東芝
2-16C1C
質量: 4.6 g (標準)
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
等価回路
現品表示
コレクタ
ゲート
エミッタ
TOSHIBA
GT50N321
製品名 (または略号)
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
(なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
1 2006-10-31
1 page  
102
101
100
10−1
Rth (t) – tw
Tc = 25°C
ダイオード部
IGBT 部
10−2
10−130−5 10−4 10−3 10−2
10−1
100
101
102
パルス幅 tw (s)
Irr, trr – IF
10 2
コレクタ接地
di/dt = −20 A/μs
9
Tc = 25°C
1.6
8 1.2
trr
Irr
7 0.8
6 0.4
50
0 20 40 60 80 100
ダイオード順電流 IF (A)
GT50N321
100
コレクタ接地
80
IF – VF
60
40
20
0
0.0
−40
Tc = 125°C
25
0.5 1.0 1.5 2.0
ダイオード順電圧 VF (V)
2.5
Irr, trr – di/dt
50 1
40 trr
コレクタ接地
IF = 60 A
Tc = 25°C
0.8
30 0.6
20 Irr
10
0.4
0.2
00
0 50 100 150 200 250
di/dt (A/µs)
5 2006-10-31
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GT50N321 | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
| GT50N322A | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
| GT50N324 | silicon N-channel IGBT |  Toshiba |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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