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PDF NX5323EH Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NX5323EH | |
| Descripción | FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE | |
| Fabricantes | California Eastern Labs | |
| Logotipo |  |
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LASER DIODE
NX5323EH
1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION
InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
DESCRIPTION
The NX5323EH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured
Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. This device is
designed for application up to 1.25 Gb/s.
APPLICATION
• FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system
FEATURES
• Optical output power
Po = 13.0 mW
• Low threshold current
lth = 7 mA
• Differential Efficiency
ηd = 0.5 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package
φ 5.6 mm
• Focal point
6.35 mm
Document No. PL10741EJ01V0DS (1st edition)
Date Published July 2009 NS
2009
1 page  
REFERENCE
Opto-Electronics Devices Pamphlet
Document Name
NX5323EH
Document No.
PX10160E
Data Sheet PL10741EJ01V0DS
5
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NX5323EH | FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE | California Eastern Labs |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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