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PDF FS25R12KE3G Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FS25R12KE3G | |
| Descripción | IGBT-Module | |
| Fabricantes | eupec | |
| Logotipo |  |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS25R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
25
40
50
145
+20
25
50
170
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
IC= 25A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 25A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 1mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,15
2,0 -
VGE(th)
5,0
5,8
6,5
V
V
V
QG - 0,24 - µC
Cies - 1,8 - nF
Cres
- 0,064
-
nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
1 (8)
DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls
2002-09-03
1 page  
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS25R12KE3 G
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4
Tvj=25°C
Tvj=125°C
5 6 7 8 9 10 11
VGE [V]
12
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
IF= f(VF)
50
45
40 Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
35
30
25
20
15
10
5
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
5 (8)
DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls
2002-09-03
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FS25R12KE3G | IGBT-Module | eupec |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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