|
|
Numéro de référence | KT602A | ||
Description | Silicon Transistor | ||
Fabricant | ETC | ||
Logo | |||
KT602
Typ tranzystora: tranzystor krzemowy
Firma: ZSRR
Wykouanie: tranzystor krzemowy dyfuzyjny n-p-n
średniej mocy w.cz., w hermetycznej obudowie
metalowej
Zastosowanie: układy generacyjne i wzmacnia-
jące w urządzeniach powszechnego użytku
Typy podobne: BF108, BSY55, BSY56, BSY87/88
Wartości charakterystyczne1'
ICBO
ICBO
IcER
IcER
LrCBO
UcEsat
CcUebsui
Crbe'b Сс
fx
'<21E
KT602A КТ602Б
70 70
100 100
120 120
33
33
44
25 25
300 300
KT602B КТ602Г
70 70
100 100
80 80
33
33
44
25 25
300 300
150 150
150 150
20-r 80
3=50
15-7-80
>50
[хА
(AA
V
V
V
pF
PF
ps
MHz
przy Uc = 80 V
przy Uс = 120 V
przy Rbe = 10 O , Uc = 70 V
przy Rbe = 10 П, Uc = 100 V
przy tj 5C 70°C
przy / c = 50 ш А , IB — 5 m A
przy I c = 50 m A , IB — 5 m A
przy Uc = 50 V, / = 2 M H z
przy UE = 0, / = 2 M H z
przy Uc = 10 V, Ic = 10 m A ,
/ = 2 MHz
przy Uc = 10 V, Ic = 25 mA,
/ = 100 MHz
przy U с = 1 0 V, IE = 10 mA
Wartości graniczne
/с max
I CM max
max
^CEK max2)
^CER max 3 )
75 75 75 75
500 500 500 500
80 80 80 80
100 100 70 70
50 50 35 35
mA
mA
mA
V
V
» tamb = 20°C (±5°)
-> RB < 1 kQ, tj 70°C
RB--SI Ш , Ij = 120°C
•»>
5>
— 40°C
z dodatkowym
+120°C
chłodzeniem,
tease
20°C
^EBO max4'
*P Tot max 5)
It j~tl max
' j max
*amb
55 5
2,8 2,8 2,8
555
120 120 120
40-7-+ 85
5
2,8
5
120
V
W
°c/w
°c
°c
|
|||
Pages | Pages 3 | ||
Télécharger | [ KT602A ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
KT602 | Silicon Transistor | ETC |
KT602A | Silicon Transistor | ETC |
KT602B | Silicon Transistor | ETC |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Recherche |