|
|
PDF NTE339 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE339 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE339 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE339
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE339 is a 12.5 volt epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for use in large−
signal amplifier stages in industrial communications equipment operating at frequencies to 80MHz.
D Specified 12.5 Volt, 50MHz Characteristics
Output Power = 40 Watts
Minimum Gain = 7.5dB
Efficiency = 50%
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24V
Emitter−Base Voltage, VEBO 4V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n°(CTC.
=
..
.+.2.5.°.C.).,.P. t.o.t
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . . . 100W
571mW/°C
Operating Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
Storage Temperatures Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.55°C/W
Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only
when the device is operated as an RF amplifier.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICBO
ICES
IC = 200mA, IB = 0, Note 2
IC = 100mA, VBE = 0, Note 2
IC = 0, IE = 10mA
VCB = 15V, IE = 0
VCB = 15V, IE = 0, TA = +125°C
24 − − V
48 − − V
4 − −V
− − 1.0 mA
− − 10 mA
DC Current Gain
Dynamic Characteristics
hFE VCE = 5V, IC = 2.4A
37−
Output Capacitance
Functional Test
Cob VCB = 12.5V, IE = 0, f = 0.1 to 1.0MHz − 180 230 pF
Common−Emitter Amplifier Power Gain
Collector Efficiency
GPE POUT = 40W, VCC = 12.5V, f = 50MHz 7.5 −
η 50 −
− dB
−%
Note 2. Pulsed through 25mH inductor.
http://www.Datasheet4U.com
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE339.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE330 | Germanium PNP Transistor High Power Switch | NTE |
| NTE3300 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3301 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3302 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |