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PDF K758 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza K758
Descripción MOSFET ( Transistor ) - 2SK758
Fabricantes Panasonic　
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Power F-MOS FETs
2SK758
Silicon N-Channel Power F-MOS
s Features
q Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on) = 0.45Ω(typ)
q High-speed switching : tf = 45ns(typ)
q No secondary breakdown
s Applications
q DC-DC converter
q Non-contact relay
q Solenoid drive
q Motor drive
s Absolute Maximum Ratings (Tc = 25˚C)
Parameter
Drain-Source breakdown voltage
Gate-Source voltage
Drain current
DC
Pulse
Allowable power
dissipation
TC =25˚C
Ta =25˚C
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
Rating
250
±20
±5
±10
40
2
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
˚C
˚C
s Electrical Characteristics (Tc = 25˚C)
Parameter
Drain-Source cut-off current
Gate-Source leakage current
Drain-Source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Drain-Source ON-resistance
Forward transadmittance
Input capacitance
Output capacitance
Feedback capacitance
Turn-on time
Fall time
Turn-off time (delay time)
Symbol
IDSS
IGSS
VDSS
Vth
RDS (on)
| Yfs |
Ciss
Coss
Crss
ton
tf
td (off)
Condition
VDS =200V, VGS = 0
VGS =±20V, VDS = 0
ID=1mA, VGS = 0
VDS =10V, ID=1mA
VGS =10V, ID= 3A
VDS= 10V, ID= 3A
VDS =10V, VGS= 0, f=1MHz
VGS =10V, ID= 3A
VDD=100V, RL= 33Ω
2SK758
10.0±0.2
5.5±0.2
Unit : mm
4.2±0.2
2.7±0.2
ø3.1±0.1
1.3±0.2
1.4±0.1
0.8±0.1
0.5 +0.2
-0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
123
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
TO-220 Full Pack Package (a)
Min Typ Max Unit
0.1 mA
±1 µA
250 V
1 5V
0.45 0.7
Ω
1.8 3
S
390 pF
160 pF
80 pF
30 ns
45 ns
90 ns
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
K758MOSFET ( Transistor ) - 2SK758Panasonic
Panasonic
K75EEH5High speed 5 IGBTInfineon Technologies
Infineon Technologies
K75T60IGBTInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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