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PDF 2SD1162 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD1162 | |
| Descripción | Silicon NPN Darlington Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1162
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: hFE= 400(Min.)@IC= 2A
·High Switching Speed
·Low Collector Saturation Voltage
APPLICATIONS
·Designed for high voltage, low speed switching industrial
use.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
500 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
300 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10 V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Base Current-Peak
10 A
IBB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
0.5 A
40
W
1.5
150 ℃
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD1160 | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR |  Toshiba Semiconductor |
| 2SD1162 | NPN Transistor |  ETC |
| 2SD1162 | Silicon NPN Darlington Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD1163 | Silicon NPN Triple Diffused |  Hitachi Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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