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PDF 2SC3514 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC3514 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC3514
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 180V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type 2SA1383
APPLICATIONS
·Adudio frequency power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
180 V
VEBO Emitter-Base Voltage
5.0 V
IC Collector Current-Continuous
0.1 A
Collector Power Dissipation@ Ta=25℃
1.5
PC
Collector Power Dissipation@TC=25℃
10
W
TJ Junction Temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150 ℃
isc Website：www.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC3510 | Silicon NPN Epitaxial |  Hitachi Semiconductor |
| 2SC3512 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 2SC3512 | Silicon NPN Epitaxial |  Renesas |
| 2SC3512 | Silicon NPN RF Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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