PDF 2SA1802 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	2SA1802
Descripción	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor
Fabricantes	Toshiba Semiconductor
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No Preview Available ! TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA1802 Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications 2SA1802 Unit: mm · Excellent hFE linearity : hFE (1) = 200 to 600 (VCE = −2 V, IC = −0.5 A) : hFE (2) = 140 (min), 200 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −3 A) · Low collector saturation voltage : VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −3 A, IB = −60 mA) · Complementary to 2SC4681 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current DC Pulsed (Note 1) Base current Collector power dissipation Ta = 25°C Tc = 25°C Junction temperature Storage temperature range VCBO VCES VCEO VEBO IC ICP IB PC Tj Tstg −30 −30 −10 −6 −3 −6 −0.5 1.0 10 150 −55 to 150 V V V A A W °C °C Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max) JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-7B1A Weight: 0.36 g (typ.) 1 2002-08-13 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
2SA1801	TRANSISTOR (VIDEO OUTPUT STAGE IN HIGH RESOLUTION DISPLAY)	Toshiba Semiconductor
2SA1802	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor	Toshiba Semiconductor
2SA1803	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)	Toshiba Semiconductor
2SA1803	SILICON POWER TRANSISTOR	SavantIC

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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